База кодов ГОСТ Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 ← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →
Название: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения Название (англ): Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Terms and definitions Назначение: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.
Название: Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры Название (англ): Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусовНазвание: Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры Название (англ): Power semiconductor devices. Overall and mounting dimensions Назначение: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы - диоды и тиристоры на токи 10 А и болееНазвание: Таситроны. Основные параметры Название (англ): Gas disharge devices. Tesitrons. Main parameters Назначение: Настоящий стандарт распространяется на таситроны и устанавливает ряды значений основных параметров и их допустимые сочетанияНазвание: Тиристоры. Основные параметры Название (англ): Thyristors. Essential parameters Назначение: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые триодные запираемые, незапираемые (малой и средней мощности) и импульсные кремниевые тиристоры и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметровНазвание: Излучатели полупроводниковые. Основные параметры Название (англ): Semiconductor photoemitters. Main parameters Назначение: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметровНазвание: Инверторы полупроводниковые. Общие технические условия Название (англ): Semiconductor inverters. General specifications Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инверторы на напряжение до 1 кВ с частотой до 10000 Гц, номинальными токами на выходе до 10 кА, изготовляемые для нужд народного хозяйства и экспорта.
Название: Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний Название (англ): Power semiconductor devices. Test and measurement methods Назначение: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы, кроме арсенид-галлиевых приборов, диоды, тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10А и более и устанавливает методы измерения параметров и проверки (испытаний) предельно допустимых значений параметров, в том числе условия, схемы, режимы, требования к элементам схем и контрольно-измерительному оборудованию, последовательность операций при измерениях и проверкахНазвание: Преобразователи частоты полупроводниковые. Общие технические требования Название (англ): Semiconductor frequency converters. General technical requirements Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые преобразователи частоты (непосредственные и двухзвенные) с выходными токами от 0,004 до 25000 А, выходными напряжениями от 6 до 20000 В и выходными частотами от 5 до 10000 Гц и устанавливает требования к преобразователям, изготовляемым для нужд народного хозяйства и экспорта.
Название: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров Название (англ): Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols Назначение: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов
← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →
Previous post: База кодов ТНВЭД Поиск по базе ОКУН